国产替代半导体设备进展
发表时间:2023-12-19
访问量:60142
半导体国产替代的窗口期或许就3-5年,判断趋势很重要,国产半导体发展在矛盾的市场环境中踩下了油门。 近年半导体国产替代浪潮刺激着大量玩家蜂拥而入,从半导体材料、设备一路蔓延到芯片设计、晶圆制造及封测,都回响着国产替代的口号,前景一片大好。
半导体各环节国产替代进程
半导体各环节国产替代从19年就已经开始,半导体板块也涌现出千亿级别的上市公司,其中各个环节国产化率都有显著提升。
1)设计环节,工业和车规级芯片设计的国产化率是偏低的,另外主芯片比如CPU/GPU/SOC等国产化率仍然比较低。目前设计层面国产化率比较高的是与手机相关的包括IOT等相关的消费类非主芯片一类的产品,比如摄像头、CIS、射频指纹识别、电源管理、部分功率器件等,相对国产化率较高。但是比如电脑的CPU/GPU以及手机的主芯片SOC,还有车规级的自动驾驶、智能座舱等芯片的设计层面国产化率仍然较低。整体来看在手机和消费电子领域国产化率已经比较高了,但是在工业和车规主芯片的方向仍然比较低。2)封测层面,也包括传统封装、先进封装以及近期热门的Chiplet封装。Chiplet目前国产化率较低,几乎接近,因为Chiplet更多涉及到前道制造工艺,也不是传统的封装厂可以涉及到的,里面有涉及到很多前道的设备、布线工艺等,目前全球做的[敏感词]的是台积电,然后是Intel、三星等具有晶圆制造能力的一些公司。3)偏上游的EDA软件、设备、材料等国产化率相对比较低。设备整个板块比较低,具体来看光刻胶是前道制造中国产化率几乎为零的设备类型,像光学检测国产化率也是个位数;其他比如清洗剂、CMP设备、刻蚀、薄膜沉积等一类国产化率高的可以超过50%,低一点的也会有20%左右,设备整体呈现偏结构化特征。材料细分品类更多,光刻胶、掩模版国产化率较低,电子特气、抛光液等国产化率近年在快速往上。 越往上游,国产化率低是有原因的,一方面是技术难度高,另一方面是客户包括晶圆厂的验证导入周期比较长。设计环节消费电子类国产化率高,是因为从设计难度、温度、适用范围、可靠性、稳定性等角度来看,都比工业与车规简单,同时消费电子产品生命周期更短、一般2-4年,对芯片要求不是很高;而工业和车规的可能在5-10年,总体验证周期很长。因此国产化率的标准,不一定按照技术难度,也包括导入壁垒、验证壁垒等影响因素。 目前美国对国内的限制更多也是在上游,半导体整体脱胎于美国,经过多年的发展,美国将产业链上面的一些环节剥离到海外,本土保留轻资产、高ROE、高毛利的环节,比如设备、EDA软件、IP授权等,重资产的晶圆制造、封测以及其他技术壁垒不太高的芯片都逐步转向其他地区,因此美国对国内的限制业主要是在上游更加关键的领域。 展望未来,最急需国产替代的环节应该是设备、材料、EDA软件、芯片设计的CPU/GPU等环节,在本轮半导体反弹也是以国产替代强化的逻辑为主。除了技术层面之外,比如车规级关键芯片等也都急需实现国产化,以对当前国内新能源汽车发展进行弥补,也会涌现出相关的投资机会。
相关标签: