以集成电路各类设备销售额推算各类设备比例，在整个半导体设备市场中，晶圆制造设备为主体占比 81%，封装设备占 6%，测试设备占 8%，其他设备占 5%。焊接波纹管

一分钟带你读懂半导体设备“分工”

半导体单晶生长炉是晶圆制造的首道工艺设备，是材料制备的关键设备，晶圆衬底质量的优劣将直接影响到后道工序。

目前主流的硅单晶炉拉晶过程主要在单晶炉内进行，单晶炉可提供惰性气体（氮气、氦气为主）的制备环境，通过石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法、垂直提拉法等多种方法生长单晶体，可生长6-12英寸硅单晶棒。

随着摩尔定律发展到极限，材料的更替势在必行，具备更好物理性能的SiC、GaN、ZnO等第三代半导体材料能够满足高温、高压、高频的应用环境，得益于新能源汽车、智能电网等新兴领域的迭代升级，应用最为广泛、发展势头最猛的SiC材料已实现4-6英寸的规模化量产，国内8英寸SiC长晶炉也实现小批量出货。

SiC长晶炉主要分为电阻式和感应加热式，制备方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温化学气相沉积法(HT-CVD)和液相外延(LPE)三种方法。其中PVT法是现阶段商业化生长SiC衬底的主流方法，技术成熟度最高、工程化应用最广。

半导体芯片在制作过程中需要经历材料制备、掩膜、光刻、刻蚀、清洗、掺杂、机械研磨等多个工序，其中以光刻流程最为关键，光刻机是半导体芯片制造中最精密复杂、难度最高、价格最昂贵的设备，是整个制造流程工艺先进程度的重要指标。

目前市场最为广泛应用的是浸入式光刻机和 EUV光刻机。EUV 光刻机是最新的技术应用，其出现原因是随着制程不断微缩，在从 32/28nm 节点迈进 22/20nm 节点时，由于光刻精度不足，需使用二次曝光等技术来实现，设备与制作成本双双提高，摩尔定律失效，晶体管的单位成本首次出现不降反升。

虽然 EUV 光刻机早已开始出货，但由于其成本昂贵且交期长，一般的公司难以采购，因此现在光刻机市场主要以193nm ArF 光刻机为主。

刻蚀也是集成电路制造工艺中的重要流程，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。刻蚀利用显影后的光刻胶图形作为掩模，在衬底上腐蚀掉一定深度的薄膜物质，随后得到与光刻胶图形相同的集成电路图形。

刻蚀技术按工艺分类可分为湿法刻蚀与干法刻蚀，其中湿法刻蚀又包括化学刻蚀与电解刻蚀，干法刻蚀包括离子铣刻蚀、等离子体刻蚀与反应离子刻蚀。干法刻蚀则是目前主流的刻蚀技术，其中以等离子体干法刻蚀为主导。

等离子体刻蚀机是一种大型真空的全自动的加工设备，一般由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成。等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关，其原理是利用低温等离子体中处于激发态的游离基和化学性质活泼的中性原子团，与被刻蚀材料间发生化学反应。

根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀。电容性等离子体刻蚀主要是以高能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀设备应用。

薄膜沉积工艺，是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面的扩散及在适当的位置下聚结，在晶圆上沉积一层待处理的薄膜的过程。薄膜制备包括沉积法与生长法，其中以沉积法最为常见，涵盖物理沉积（PVD）与化学沉积（CVD）。

PVD 与 CVD 技术各有优缺，PVD 通过加热源材料，使原子或分子从源材料表面逸出，从而在衬底上生长薄膜，包括真空蒸镀和溅射镀膜。真空蒸镀指在真空中，把蒸发料（金属）加热，使其原子或分子获得足够的能量，克服表面的束缚而蒸发到真空中成为蒸气，蒸气分子或原子飞行途中遇到基片，就淀积在基片上，形成薄膜。溅射镀膜则利用高能粒子（通常是由电场加速的正离子如 Ar+）撞击固定表面，使表面离子（原子或分子）逸出。

CVD 单独的或综合地利用热能、等离子体放电、紫外光照射等形式，使气态物质在固体表面发生化学反应并在该表面上沉积，形成稳定固态薄膜。